5月10日上午，由陕西省半导体行业协会指导、西安理工大学和陕西科技控股集团有限责任公司联合主办、陕西省新能源功率半导体器件及智能系统工程技术研究中心和西安理工大学电子学科承办的集成电路静电防护技术公益培训在西安理工大学金花校区图书馆报告厅举行。陕西省半导体行业协会副秘书长陈晓炜、西安理工大学科技处副处长游才印出席并讲话。兆易创新科技集团股份有限公司、西安翔腾微电子科技有限公司、陕西亚成微电子股份有限公司等陕西半导体及集成电路行业50余家企业及科研院所300余人参加培训。会议由西安理工大学电子科学与技术学科带头人杨媛教授主持。教育部长江学者、集成电路可靠性研究专家刘俊杰和集成电路可靠性实验室负责人杨兆年进行专题培训。

陈晓炜对本次活动的举办表示祝贺。她表示。中国半导体行业正面临着巨大的挑战和机遇，此次活动为我省半导体行业人员在提升集成电路可靠性方面提供了一个重要的交流契机，半导体行业协会将不遗余力地构建学界与业界的融合发展桥梁，努力为产业发展提供高质量服务。

游才印向参加培训活动的各位代表表示欢迎。他介绍了学校科技成果转化的情况，并表示将进一步完善产学研深度融合发展模式，不断提升高质量科研供给和创新人才水平，助力陕西经济社会发展。杨媛介绍了西安理工大学电子科学与技术学科的发展历程、科研平台、特色优势方向，并强调高校作为人才培养和科技创新的重要基地，将以“服务企业、贡献行业”为理念，深入推进产学研融合发展，为陕西半导体集成电路行业发展贡献力量。

会上，刘俊杰针对集成电路ESD保护技术，介绍了ESD保护的背景、失效原因、能力提升的要求与方法，深入浅出地讲解了典型集成电路ESD保护技术和各类保护器件以及化合物工艺（SiGe、III/V）ESD保护技术。杨兆年结合案例，分享了高鲁棒性、低寄生、低功耗和抗闩锁的ESD设计方法以及研究进展，并讨论了多电源域、超快放电、系统级协同保护等难点问题，并结合学校集成电路可靠性实验室的测试平台，介绍了TLP测试方法及应用。培训会交流踊跃、学术氛围浓厚，反响热烈。

静电放电（ESD）保护是芯片最重要的可靠性问题之一，ESD保护等级是芯片的重要指标。当前我国集成电路产业发展迅速，取得了产品功能和性能上的长足进步，正迈向高质量、高可靠的新阶段。但国产芯片可靠性距离国际先进水平还有显著差距，ESD保护性能差的芯片在轻微的ESD冲击下就会失效，此次活动旨在输出高校研究成果，助推陕西集成电路静电防护技术水平提升，助力产业发展。

【延伸阅读】

报告人简介

刘俊杰，教授，国家级高层次人才，教育部长江学者，教育部海外名师，美国电子工程学会院士（IEEE Fellow），英国电子工程学会院士（IET Fellow），新加坡人工智能学会院士（AAIA Fellow），原西安理工大学电子科学与技术学科讲座教授、博士生导师。国际集成电路可靠性研究权威专家之一，也是国内静电保护领域的开拓者。曾获得IEEE杰出成就奖、杰出教育奖、杰出讲座等和美国政府杰出青年科学家奖等10多项。作为会议主席主持超过30次微电子领域和ESD领域的IEEE国际会议或年会。曾任IEEE Electron Devices Society 副主席，IEEE Simulation Journal 副主编、IEEE Electron Device Letter等期刊编辑。主持美国国家自然科学基金、美国ADI、Intel、Intersil、Maxim等企业合作项目，中国国家自然科学基金、合肥长鑫公司合作项目等。拥有专利20多件，撰写专著13本，发表学术论文600多篇，SCI他引超过7600次、h-index: 39。

杨兆年，副教授，硕导，西安理工大学自动化学院电子工程系科研副主任，集成电路可靠性实验室负责人。长期从事集成电路ESD保护技术研究，与中电、中航、长鑫、极海、海栎创等企业开展研发合作，主持国家自然科学基金青年项目、国家博士后基金项目等。在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices等行业著名期刊和国际会议发表第一/通信作者论文40余篇，其中1篇入选ESI高被引论文。获国家发明专利授权5件，获陕西省科学技术二等奖1项。